摘要

利用化学喷雾热解法,在773K温度下,基于玻璃衬底沉积得到了磷化铟薄膜. 进一步研究发现,磷化铟薄膜为立方相多晶,并且优先取向(111)方向,其直接带隙为1.50 eV. 磷化铟薄膜呈现n型导电性,电阻率为5.18×10~(3 )Ω·cm. 因此,磷化铟薄膜材料在未来高频、大功率材料和光电子器件领域具有潜在应用.