HP-LEC法InP单晶生长的引晶、放肩过程研究

作者：李玉茹; 黄清芳; 李晓岚; 邵会民; 史艳磊; 孙聂枫

来源：半导体技术, 2013, 38(11): 840-844+850.

• 直径4英寸
• InP单晶
• 平放肩
• 孪晶
• 高压液封直拉技术 4-inch diameter
• InP single crystal
• flat-top shoulder
• twin crystal
• high pressure liquid encapsulated Czochralski technology

利用自制高压单晶炉内采用高压液封直拉技术(HP-LEC)研究了<100>InP晶体生长过程中引晶和放肩阶段的控制等因素对单晶生长的影响。采用平放肩工艺进行了3~4英寸(1英寸=2.54 cm)InP单晶的生长。通过多次实验,可重复生长出直径80~110 mm、长62~112 mm的3~4英寸InP单晶锭。介绍了平放肩工艺技术特点和应用效果。经过统计和分析,认为InP晶体生长中放肩阶段的孪晶产生由多种因素造成,不存在所谓的"临界放肩角"。通过热场调整和工艺控制,可以用较低的提拉速度在较短时间内生长出3~4英寸头部;通过等径控制,可以生长出无孪晶或孪晶较少的高质量InP单晶。

• 单位
  专用集成电路重点实验室; 中国电子科技集团公司第十三研究所; 厦门钨业股份有限公司