基于质子辐照处理的金刚石基InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法

作者：许晟瑞; 许文强; 贠博祥; 张金风; 彭利萍; 张雅超; 周弘; 张进成; 郝跃

来源：2021-01-11, 中国, ZL202110028079.9.

本发明公开了一种基于金刚石衬底的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法,主要解决现有同类器件界面结合强度差、界面热阻高、工艺流程复杂的问题。其自下而上包括：金刚石衬底(1)、GaN沟道层(2)和InAlN势垒层(3),InAlN势垒层(3)上同时设有源极(4)、漏极(5)和栅极(6),该衬底采用晶面取向为(111)晶向的金刚石,以提高器件的散热能力；该GaN沟道层的厚度为20-30nm；该InAlN势垒层的Al组分为80％-85％,厚度为10-15nm。本发明增强了器件的散热能力,降低了界面热阻,提高了器件的工作寿命和稳定性,简化了工艺条件,可用于高频、大功率微波毫米波器件的制备。

• 单位
  西安电子科技大学