Si衬底上NiCo2O4薄膜的外延生长和电学性质

作者：甄聪棉^*; 郭文哲; 刘璐; 田之雪; 侯登录

来源：河北师范大学学报(自然科学版), 2020, 44(04): 302-307.

DOI：10.13763/j.cnki.jhebnu.nse.2020.04.004

• NiCo2O4
• 外延薄膜
• 导电机制
• 变程跃迁
• 近程跃迁

改变沉积温度,在Si(100)衬底上制备了NiCo2O4外延薄膜,探究其结构和电学性质的变化.研究发现,衬底对薄膜有压应力作用,晶体结构产生压缩效果,使样品导电性增强;变程和近程跃迁在整个测试温区同时作用,低温以变程跃迁为主,高温以近程跃迁为主.

• 单位
  河北师范大学; 物理学院