溅射功率和溅射时间对Mg2Si纳米晶薄膜结构和电阻率的影响

作者：廖杨芳; 谢泉^*

来源：人工晶体学报, 2021, 50(09): 1675-1680.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20210820.002

• Mg2Si
• 薄膜
• 射频磁控溅射
• 溅射功率
• 溅射时间
• 电阻率

采用射频磁控溅射在蓝宝石衬底上制备了Mg2Si纳米晶薄膜,研究了Mg2Si烧结靶溅射功率(90～140 W)及溅射时间(10～60 min)对Mg2Si薄膜的结构和电阻率的影响。结果表明:随着溅射功率增加,样品的XRD衍射峰逐渐增强;但当功率超过100 W时,样品中出现了偏析出来的单质Mg。随着溅射时间增加,样品的XRD强度先增强后减弱,溅射时间为40 min时,样品的XRD衍射峰最强;继续增加溅射时间,样品中出现微弱的MgO衍射峰。所有样品均呈现出Mg2Si晶体的特征拉曼峰,即256 cm-1附近的F2g模及347 cm-1附近的F1u(LO)模。随着溅射功率增加,样品的电阻率减小;随着溅射时间增加,样品的电阻率先减小后增大,溅射时间为40 min时,样品的电阻率最小。

• 单位
  贵州师范大学; 贵州大学