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摘要
为了探究微纳加工中的工艺误差对Qplus传感器性能指标的影响，采用基于COMSOL的多物理场有限元数值分析方法建立了包含工艺误差的Qplus传感器仿真模型，评估了湿法刻蚀后侧壁产生的晶棱、双面光刻对准偏差等典型工艺误差对传感器本征频率、弹性系数以及品质因子的影响，并将仿真结果与实测值进行了对比，验证了仿真方法的准确性。结果表明：传感器的弹性系数及本征频率会因为湿法刻蚀后侧壁产生的晶棱明显提高，品质因子受工艺误差影响较小，变化幅度小于10%。分析方法有助于Qplus传感器的设计优化，使制备出的传感器性能参数更接近于预期设计值，同时为其他基于石英的MEMS传感器的仿真设计提供借鉴。
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