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摘要
薄膜均匀性是衡量薄膜质量和镀膜设备性能的一项重要指标,随着芯片制造从40 nm/28 nm到14 nm/7 nm的迈进,产业对于薄膜沉积提出了更高的要求。本文介绍的创新,是把晶圆上薄膜的二维均匀性用极坐标来表达,分别为周向均匀性和径向均匀性。通过晶圆加热基座,薄膜沉积的径向均匀性主要通过调节各工艺参数来优化,薄膜沉积的周向均匀性主要通过调节旋转参数来优化,此设计扩大了均匀性优化能力,同时降低了优化过程的难度。着重针对搭载往复式旋转机构的化学气相沉积设备对薄膜性能的影响,结果表明:以二氧化硅薄膜为例,旋转使厚度的均一性提高了50%,在横向和纵向上的应力值也趋于接近,而薄膜的其他性能并没有受到影响。
