摘要
针对相变存储器小片内电容和低功耗的应用要求,在分析传统升压式电容电荷泵局限性的基础上,提出了一种应用于相变存储单元的嵌入式片内电容电荷泵。该电容电荷泵无需电感器件,存储单元不会受到高电磁干扰,采用了特殊的互补型电荷泵升压方法,具有电源效率高、瞬态响应速度快、面积小、电容可片内集成等优点。在SMIC 40nm标准CMOS工艺条件下,对设计的嵌入式片内电容电荷泵进行仿真。结果表明,负载电流变化为250mA/μs时,输出瞬态响应时间为374.2ns,电源转换效率可达81.65%,静态电流为7.22μA,输出能力为4V/2.5mA。
-
单位信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院大学; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所