适用于大功率绝缘栅双极型晶体管的两段式有源门极关断技术的研究

作者：王倩; 施荣; 刘丽; 李宁

来源：电气传动, 2018, 48(10): 75-78.

DOI：10.19457/j.1001-2095.dqcd18804

• 有源关断
• 过电压
• 绝缘栅双极型晶体管

针对大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)应用中存在的关断过电压问题,提出了一种两段式有源门极关断技术。在IGBT关断过程中,通过在IGBT集电极和门极之间使用2个小容值的高压陶瓷电容和一串瞬态抑制二极管(TVS),在不同关断阶段,获得2个差别较大的门极反馈增益,从而达到限制关断过电压和控制关断电压上升率的目的。在Saber仿真环境中,与其它有源门极关断技术进行了充分比较和研究。

• 单位
  国网陕西省电力公司经济技术研究院; 西安理工大学