摘要

提出一种双C环光敏硅可重构超表面,该超表面通过改变光敏硅电导率可以实现在太赫兹波段的多功能切换。当大小C环的电导率分别为5.0×105 S/m和0 S/m时,所设计超表面表现为线-线极化转换器,在2.10~3.15 THz频率范围内极化转换率大于90%;当大小C环的电导率分别为0 S/m和5.0×105 S/m,该结构在2.33~2.47 THz和2.78~4.40 THz频率范围内表现为线-圆极化转换器;当大小C环的电导率同时变化为2.5×105 S/m时,该结构转化为吸收器,在2.40~4.60 THz频率范围内吸收率大于90%。将大小C环电导率都为0 S/m的单元与大小环电导率都为2.5×105 S/m的单元进行编码,该结构在2.80~3.00 THz范围内实现近场成像。将大小C环电导率分别为5.0×105 S/m和0 S/m的单元与大小环电导率都为0 S/m的单元进行周期性编码,该结构可实现对太赫兹波二分束和四分束。结果表明,通过改变外部光照条件,可以实现对所设计超表面重构,获得多种太赫兹调控功能。