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摘要
本发明公开了一种石墨烯辅助GaN整流器及其制备方法。该制备方法中包含在制备初级电极的外延片上转移石墨烯,在转移了石墨烯的外延片上进行光刻显影,在光刻显影后的外延片上蒸镀金属层,在蒸镀完金属层的外延片上去胶,在去胶后的外延片上去除多余石墨烯,去除多余石墨烯的外延片上肖特基电极部分蒸镀肖特基金属,在蒸镀肖特基金属的外延片上沉积图形化钝化层并在图形化钝化层上沉积顶金属层。所获得的石墨烯辅助GaN整流器可降低GaN整流器高频工作热击穿发生频率并有效增强GaN整流器电极电流扩展能力,并且该石墨烯引入方法可广泛用于多种以AlGaN/GaN异质结为结构基础的GaN整流器结构或III族氮化物功率器件制备中。
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