基于孪生靶的磁控溅射系统薄膜厚度均匀性的研究

作者：魏博洋^*; 刘冬梅; 付秀华; 张静; 汪洋; 耿煜

来源：光学学报, 2021, 41(07): 222-228.

• 薄膜
• 厚度均匀性
• 磁控溅射
• 孪生靶
• 等离子体密度
• 二进制梯度充气方式
• 正弦半波

磁控溅射系统中薄膜厚度的均匀性是关键指标之一。通过分析磁场强度、靶材与基板的距离和气体压强对Si3N4和SiO2两种薄膜厚度均匀性的影响,借助Langmuir探针分析等离子体的密度,并采用二进制阶梯式充气方式调整纵向的均匀性。通过对靶材加载正弦半波电压并使用MATLAB软件确定振幅及相位参数,从而调整横向的均匀性。实验结果表明,对于Si3N4膜层,其在横向上、中和下的均匀性分别为±1.27%、±0.62%和±1.33%,纵向的均匀性为±0.33%;对于SiO2膜层,其在横向上、中和下的均匀性分别为±1.12%、±0.42%和±1.23%,纵向的均匀性为±0.25%。

• 单位
  长春理工大学