不同浓度的Si掺杂β-Ga2O3薄膜的制备及研究

作者：张晓霞; 邓金祥^*; 孔乐; 李瑞东; 杨子淑; 张杰

来源：真空, 2021, 58(05): 57-61.

DOI：10.13385/j.cnki.vacuum.2021.05.09

• 射频磁控溅射
• Si掺杂β-Ga2O3薄膜
• 带隙宽度
• 结构

本文采用射频磁控溅射法在Si (100)和石英衬底制备纯β-Ga2O3和不同浓度的Si掺杂β-Ga2O3薄膜,并且研究Si掺杂对β-Ga2O3薄膜结构、表面形貌和光学性质的影响。X射线衍射(XRD)测试结果表明,Si掺杂β-Ga2O3薄膜都未出现新的衍射峰,随着Si浓度的增加,β-Ga2O3的特征峰(111)逐渐向大角度方向移动。X射线光电子能谱(XPS)表明β-Ga2O3薄膜中成功掺入了Si元素。本文使用原子力显微镜(AFM)表征薄膜的表面形貌,结果表明薄膜表面的粗糙度随着Si浓度增加呈现单调递增的趋势。紫外-可见光(UV-visible)透射光谱表明薄膜均在可见光波段具有高透光率,薄膜的光学带隙随Si掺杂浓度的变大而变大。Si掺杂实现了β-Ga2O3的带隙可调,表明Si是一种有潜力的掺杂剂。

• 单位
  北京工业大学