沟道长度对IGZO薄膜晶体管性能的影响

作者：刘璐; 高晓红; 孟冰; 付钰; 孙玉轩; 王森; 刘羽飞; 胡顶旺

来源：电脑知识与技术, 2021, 17(26): 138-140.

DOI：10.14004/j.cnki.ckt.2021.2622

• IGZO
• 薄膜晶体管
• 磁控溅射
• 沟道长度

在室温条件下采用射频磁控溅射的方法在热氧化SiO2衬底上生长IGZO薄膜作为有源层,并将其制备为薄膜晶体管度,使用原子力显微镜(AFM)表征薄膜的表面形貌.实验结果表明,沟道长度对IGZO薄膜晶体管有着重要影响.当沟道长度为10μm时,IGZO薄膜晶体管的开关电流比达到1.07×108,载流子迁移率为3.81cm2/V,阈值电压为27V,亚阈值摆幅为2V/dec.

• 单位
  吉林建筑大学