相变材料Ge2Sb2Te5的性质及其面向新型数据存储的应用(续)

作者：杨冲; 韩伟华^*; 陈俊东; 张晓迪; 郭仰岩; 杨富华

来源：微纳电子技术, 2020, 57(06): 421-429.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2020.06.001

<正>3相变材料GST的介电性质及其应用GST的介电性质主要体现在其对光的调控作用,在GST相变过程中伴随的折射率变化可以使其应用于光学存储。不仅是多媒体光盘,GST材料与波导材料结合还可以形成非易失性的光子存储单元。3.1相变材料GST介电性质的机理以正、负电荷中心不重合的电极化方式来传递或记录(存储)电场的作用和影响是材料介电性质的体现。对于应用于光学存储的GST来说,其相变过程中的性质状态,尤其是介电性质会对存储性

• 单位
  中国科学院半导体研究所; 中国科学院大学