氢稀释比对磁控溅射低温(100℃)沉积氢化微晶硅薄膜微结构特性的影响（英文）

作者：王林青; 周永涛; 王军军^*; 刘雪芹

来源：Journal of Central South University (English Edition), 2019, 26(10): 2661-2667.

• 微晶硅薄膜
• 射频磁控溅射
• 氢稀释比例
• 低温
• 微结构

在低温(100℃)条件下采用磁控溅射在玻璃和硅(100)衬底上沉积氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究不同氢稀释比对微晶硅薄膜微结构特性的影响。结果表明:薄膜从非晶相过渡到了微晶相当氢稀释比增加到约50%,氢化微晶硅薄膜的结晶率随氢稀释比从40%增加到70%先增加后趋于稳定;薄膜的表面粗糙度随着氢稀释比的增加而增加,氢含量的变化趋势与之相反;所制备的氢化微晶硅薄膜都具有(111)择优取向,与氢稀释比无关,且薄膜结构致密。