SiC欧姆接触结构及其制作方法

作者：张艺蒙; 李彦良; 张玉明; 宋庆文; 汤晓燕

来源：2017-07-18, 中国, ZL201710583808.0.

本发明涉及一种SiC欧姆接触结构及其制作方法,包括：制作SiC衬底；在所述衬底表面依次淀积第一Ni层、Ti层、第二Ni层、TaSi2层和Pt层；退火处理以完成所述SiC欧姆接触结构的制作。本发明提供的SiC欧姆接触提高了欧姆接触的热稳定性和抗氧化性能。

• 单位
  西安电子科技大学