TPC COG腐蚀不良防护解决方案研究

作者：许向辉; 高石; 徐习亮; 李森; 董殿正; 王桂石

来源：电子世界, 2022, (02): 88-89.

DOI：10.19353/j.cnki.dzsj.2022.02.038

<正>本文研究了TPC COG IC区域腐蚀原因分析.首先对COG产品进行成分分析,检测本身产品是否有腐蚀元素,其次对产品进行恶化实验,验证腐蚀对于产品的侵入性,通过UV工艺调整,变更为UV胶全涂覆盖IC工艺有效改善腐蚀不良。且UV全涂工艺稳定性良好,厚度管控稳定,可实现量产管控要。求实验结果表明,通过UV胶全涂工艺改善,可显著有效改善防护COG IC Bonding区域腐蚀不良。

• 单位
  北京京东方显示技术有限公司