高质量二维WTe₂薄膜的可控制备及电输运性能研究

作者：赵新; 卢志红; 张振华; 肖杨; 冯金地; 甘凌霄

来源：武汉科技大学学报, 2023, 46(06): 418-423.

DOI：10.3969/j.issn.1674-3644.2023.06.003

• 二维材料
• WTe2薄膜
• WCl6
• 前驱体
• 磁电阻率
• 平面霍尔电阻
• 电输运性能

以WCl6为前驱体，采用化学气相沉积法制备二维WTe2薄膜材料。借助X射线衍射仪、拉曼光谱、原子力显微镜、综合物性测量系统等探究了前驱体用量对二维WTe2薄膜质量的影响并对薄膜的电输运性能进行表征。结果表明，在500℃下，仅需10 min的生长时间就可以获得大面积的WTe2薄膜，且薄膜厚度随前驱体用量的减少而减薄。WCl6前驱体为0.6 g时所制多层二维WTe2薄膜在温度为10 K、磁场强度为50 000 Oe下的磁电阻率为1.54%,该磁电阻率仍未达到饱和。样品平面霍尔电阻随电场和磁场夹角变化而周期性变化，表明所制WTe2薄膜具有和块体WTe2相似的电输运特性。

• 单位
  武汉科技大学