Bi元素对钛酸锶钡薄膜结构与性能影响的研究

作者：侯宪钦; 周丽玮; 陈学江; 陶文宏; 付兴华; 侯文萍

来源：硅酸盐通报, 2006, (03): 62-67.

DOI：10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2006.03.014

• BST薄膜
• 介电常数
• 介质损耗
• Bi施主掺杂
• 结构特征 BST thin films
• dielectric constant
• dielectric loss
• Bi dopant
• characteristic microstructure

研究了微量元素铋对Sr0.5Ba0.5-xBixTiO3薄膜介电性能的影响。当X分别为0~0.030mol时,相对介电常数εr、介质损耗tanδ逐渐降低,最大介电常数温度点Tm(居里温度点)逐渐移向低温;在所测试频率范围内,εr、tanδ均能表现出较好的频散特性;当铋掺量为0.015mol时,薄膜的Pr为0.22μC/cm2、Ps为0.32μC/cm2、Ec为60kV/cm。采用XRD、FTIR、TEM等测试方法分析了薄膜的结构特征。薄膜的矿物组成为四方钙钛矿结构,但[TiO6]八面体特征吸收峰(471.65cm-1)移向低波数,晶粒粒径减小。