MoS2/SiO2/Si异质薄膜器件的制备与NH3探测性能实验研究

作者：郝兰众; 李双双; 郝婧怡; 刘云杰

来源：实验室研究与探索, 2023, 42(03): 1-12.

DOI：10.19927/j.cnki.syyt.2023.03.001

• 纳米薄膜
• 半导体
• NH3敏感
• 磁控溅射

采用磁控溅射技术，通过改变制样工艺条件在SiO2/Si基片上沉积MoS2薄膜，以形成异质薄膜器件，并对其微观结构、形貌特征和NH3探测性能进行表征和分析。研究结果表明，在室温条件下MoS2/SiO2/Si异质薄膜器件表现出了明显的NH3响应性能，并且器件的响应与薄膜厚度和沉积温度存在关联，最高可达230%,远超过单一薄膜。同时，器件的响应速度较快，响应/恢复时间为7.4 s/24.8 s。进一步通过构建界面能带结构图，对器件的气敏机理作了深入阐释。

• 单位
  中国石油大学（华东）