8英寸导电型4H-SiC的生长

作者：杨祥龙; 陈秀芳; 谢雪健; 彭燕; 于国建; 胡小波; 王垚浩; 徐现刚

来源：人工晶体学报, 2022, 1-5.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20220907.001

• SiC单晶衬底
• 8英寸
• 微管密度
• 电阻率

采用物理气相传输法（PVT）扩径获得了8英寸4H-SiC籽晶，用于8英寸导电型4H-SiC晶体生长，并加工出厚度520 μm的8英寸4H-SiC衬底。使用拉曼光谱、全自动显微镜面扫描、非接触电阻率测试仪面扫描和高分辨XRD摇摆曲线对衬底的晶型、微管、电阻率和结晶质量进行了表征。衬底颜色均一并结合拉曼光谱表明衬底4H-SiC晶型面积的比例为100%；衬底微管的密度小于0.3 cm-2；衬底电阻率范围20～23 mΩ·cm，平均值为22 mΩ·cm；（004）面高分辨X射线摇摆曲线半峰宽32.7弧秒，表明衬底良好的结晶质量。

• 单位
  山东大学; 晶体材料国家重点实验室