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摘要
三维电路(3D IC)在垂直方向上进行多个晶片的堆叠,使得芯片的集成度大大提高而成为一种极具发展前景的新型芯片。三维电路的关键技术是硅通孔(TSV)层间互连技术,而单个硅通孔就目前的特征尺寸而言占据了较大的芯片面积,且相对滞后的硅通孔对准技术亦降低了芯片良率,因此在三维电路中引入过多的硅通孔将增加三维电路的制造和测试成本。本文针对硅通孔数目过多的问题提出了一种改进的基于模拟退火的划分方法来进行同步考虑芯片面积和硅通孔数目的三维电路划分。在MCNC标准电路上的实验结果表明,本方法获得了较高的面积利用率和较少的硅通孔数目。
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