<正>Infineon公司的IMBF170R1K0M1是CoolSiCTM1700V SiC Trench MOSFET,采用TO-263 7L表面安装器件(SMD)封装,漏极和源极的爬电距离大约为7mm,这样安全标准很容易满足.单独驱动器的源引脚有助于降低栅极回路寄生电感,以避免栅极激振效应.器件最适合用在反激拓扑,12V/0V栅源极电压和大多数的反激控制器兼容,具有非常低的开关损耗,完全可控制d V/dt以适宜EMI优化.
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