基于MEMS工艺的硅基毫米波铁氧体环行/隔离组件

作者：高春燕^*; 闫欢; 尹久红; 胡艺缤; 冯楠轩

来源：磁性材料及器件, 2020, 51(05): 36-39.

DOI：10.19594/j.cnki.09.19701.2020.05.008

• 环行/隔离组件
• MEMS
• 仿真分析

为满足器件小型化、集成化、高功率密度等需求,基于MEMS工艺技术,利用半导体材料硅作为衬底,设计并制作了一款小型化毫米波环行/隔离组件。该组件采用双层硅片键合的结构形式,将铁氧体嵌套于下硅片,铁氧体上部中心结电路制作在上硅片下表面,使得整个电路保持连续。该结构有效克服了由于电路不连续导致的器件性能恶化。仿真分析表明,该结构单节环行器在32～38GHz内隔离度≥20dB,环行/隔离组件平面尺寸小于5×7mm,在33.5～36.5GHz范围内实现驻波比≤1.35,损耗≤0.9dB,隔离度≥18dB的性能。测试结果表明,环行/隔离组件在35 GHz左右实现了较好的环行/隔离性能。

• 单位
  西南应用磁学研究所