铜掺杂氧化锌半导体杂质能级的理论研究

作者：郑青松; 李仲秋; 冯立峰; 李华; 尹海涛

来源：哈尔滨师范大学自然科学学报, 2016, 32(04): 67-70.

• ZnO
• 掺杂
• 杂质能级

采用密度泛函理论,利用MBJ-CPA方法计算了Cu掺杂ZnO的电子结构,理论解释Cu掺杂ZnO材料后出现发光特性,为今后Cu掺杂ZnO实验研究提供一定的理论依据.

• 单位
  哈尔滨师范大学