准连续调谐35nm的SGDBR激光器的研制

作者：张瑞康; 董雷; 王定理; 张靖; 陈磊; 江山; 余永林

来源：半导体学报, 2008, 29(12): 2301-2303.

DOI：10.3321/j.issn:0253-4177.2008.12.002

• SGDBR半导体激光器
• 可调谐激光器
• 对接生长

对接生长技术可以独立优化不同区域的波导结构,有利于制作高性能的半导体光电子集成器件.文中采用MOCVD对接生长技术制作了SGDBR激光器,通过载流子注入,器件准连续调谐范围为35nm,在调谐范围内边模抑制比大于30dB.

• 单位
  山东大学; 武汉光电国家实验室; 武汉大学; 武汉邮电科学研究院; 华中科技大学