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摘要
本发明涉及一种平面互补型隧穿场效应晶体管反相器,是由InAs/Si异质结TFET和Ge/Si异质结TFET组成的平面结构,其中,InAs/Si异质结TFET和Ge/Si异质结TFET分别作为NTFET与PTFET。本发明新型平面CTFET反相器中的NTFET与PTFET的隧穿结处均采用沟道覆盖源区的异质隧穿结形式,异质结隧穿可以提高反相器的工作频率,并且可以通过调控沟道覆盖源区的长度调节NTFET与PTFET的隧穿电流。NTFET与PTFET均为埋层漏的平面结构,利用电学特性隔离的方式避免了漏空隔离的工艺复杂度,而且可以实现与传统CMOS工艺的兼容。
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