组合材料方法研究膜厚对Ni/SiC电极接触性质的影响

作者：黄维; 陈之战; 陈义; 施尔畏; 张静玉; 刘庆峰; 刘茜

来源：Acta Physica Sinica, 2010, (05): 3466-3472.

• 碳化硅
• 肖特基接触
• 欧姆接触
• 组合材料方法 silicon carbide
• Schottky contact
• ohmic contact
• combinatorial method

采用组合材料方法研究了金属Ni膜厚对Ni/SiC接触性质的影响.16个膜厚均为18nm的Ni/SiC电极具有较为一致的肖特基接触性质;膜厚从10nm增加到160nm,肖特基接触的电流-电压(I-V)曲线随膜厚发生显著变化.分析表明这种变化源于膜厚对理想因子n和有效势垒高度ФB的影响.1000℃快速退火后,这些肖特基接触都转变为欧姆接触,Ni2Si是主要的生成物.I-V曲线测试表明,Ni膜厚为30至70nm范围时能稳定得到性质较好的欧姆接触.证实了之前认为Ni/SiC高温退火后富碳层存在一个合适范围以形成良好欧姆接触的结论.

• 单位
  中国科学院研究生院; 中国科学院上海硅酸盐研究所; 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室