本发明公开了一种室温高灵敏硅基光电导太赫兹检测器及其制备方法,其检测器以硅基SOI(Silicon#On#Insulator)基片作为衬底,所述衬底上反应离子刻蚀(Reactive#Ion#Etching#RIE)硅探测微桥,所述硅探测微桥两端连接金薄膜电极。本发明还公开了制备所述检测器的方法。本发明的检测器工作于室温,具有高灵敏度,快响应时间,制备简单,便于做成大规模阵列芯片的特点,使其在太赫兹材料检测、太赫兹成像等方面具有广泛的应用前景。
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