PMOS管的低剂量率辐射损伤增强效应

作者：张华林; 陆妩; 任迪远; 唐贵平

来源：固体电子学研究与进展, 2009, (02): 159-161+286.

• 电离辐照
• 阈电压漂移
• 低剂量率
• 剂量率效应

研究了国产非加固PMOS管在不同剂量率条件下的电离辐照效应及较高剂量率辐照后的退火效应。研究表明,用较高剂量率辐照加退火不能达到其低剂量率辐照导致的阈电压漂移。因此PMOS管的电离辐照效应并非时间相关效应,而是低剂量率辐射损伤增强效应。

• 单位
  中国科学院新疆理化技术研究所; 长沙理工大学; 中南大学