《国际半导体技术蓝图》(2005版)光刻部分解析

作者：卞志昕

来源：电子工业专用设备, 2006, (06): 3-5+11.

• 国际半导体技术蓝图
• 光刻
• 挑战
• ITRS International Technology Roadmap for Semiconductors
• Lithography
• Challenge
• ITRS

对2005年公布的《国际半导体就十时微蓝图》中光刻部分进行了介绍与分析,并与之前的版本进行比较,列出了光刻技术面临的挑战和潜在技术方案。最后指出,浸入式光刻、纳米压印、极紫外光刻和ML2将是未来几年重点研究对象。

• 单位
  上海科学技术情报研究所