基于HVCMOS工艺的H桥驱动电路版图设计

作者：李芳; 焦继业; 马彩彩

来源：电子技术应用, 2021, 47(06): 35-39.

DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.201078

• HVCMOS
• H桥
• 高集成度
• 低导通内阻

介绍了基于HVCMOS工艺的低成本、高集成度、强驱动性能功率集成电路(Power IC,PIC)H桥的设计实现。建立的金属互连线评估模型可在设计早期对H桥物理版图方案进行优差性判断,不依赖设计后仿真,从而提高设计效率。H桥不同互连线设计方案的比较结果表明,多插指阵列器件互连线(M2及以上层金属)与器件本体的金属层M1垂直、梯形状互连结构,能够提高互连线沿电流流向的有效长宽比,减小寄生电阻。

• 单位
  西安邮电大学; 电子工程学院