基片温度对Ni_(81)Fe_(19)薄膜磁性能的影响

作者：张霞; 兰中文; 孙科; 余忠; 许志勇; 朱光伟

来源：磁性材料及器件, 2013, 44(04): 1-4+13.

• Ni81Fe19薄膜
• 电子束蒸发
• 基片温度
• 磁性能
• 铁磁共振线宽

采用电子束蒸发法在Si(111)基片上制备厚度约为100nm的Ni81Fe19薄膜,研究了基片温度对薄膜微观结构及磁性能的影响。结果表明,随着基片温度的升高,Ni81Fe19薄膜(111)衍射峰逐渐锐化,衍射峰强度显著增强,薄膜晶粒逐渐长大;薄膜的饱和磁化强度(Ms)及面内矫顽力(Hc)随基片温度的升高均逐渐增大;随着基片温度的升高,薄膜在9GHz下的共振场(Hr)呈单调降低的趋势,而铁磁共振线宽(ΔH)则先减小后增大最后基本保持不变。当基片温度为100℃时,薄膜铁磁共振线宽具有最小值ΔH=7.44kA/m(9GHz)。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学