一种100 MHz～12 GHz高功率SPDT射频开关

作者：袁波; 吴秀龙; 谢卓恒; 赵强; 秦谋

来源：微电子学, 2023, 53(03): 385-389.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.220285

• 高功率
• 高隔离度
• 射频开关
• SOI

基于0.13μm CMOS SOI工艺，设计并实现了一种100 MHz～12 GHz高功率SPDT射频开关。该射频开关为吸收式射频开关，开关支路为串并联的拓扑结构。采用负压偏置设计，减小了插入损耗，提高了隔离度。采用多级开关管堆叠设计，提高了开关的输入1 dB压缩点。测试结果表明，在100 MHz～12 GHz频率范围内，该射频开关插入损耗小于1.5 dB,隔离度大于31 dB,输入1 dB压缩点大于40 dBm。芯片尺寸为1.1 mm×1.1 mm。

• 单位
  安徽大学; 中国电子科技集团公司第二十四研究所