4H-SiC探测器的γ辐照影响研究

作者：李正; 吴健; 白忠雄; 吴锟霖; 范义奎; 蒋勇; 尹延朋; 谢奇林; 雷家荣

来源：强激光与粒子束, 2019, 31(08): 115-118.

• 4H-SiC探测器
• γ辐照
• I-V特性
• α探测器

为研究4H-SiC探测器的抗γ辐照性能,使用40万Ci级的60 Co源对4H-SiC探测器进行了数次辐照,累积辐照剂量最大为1MGy(Si),并在辐照后对4H-SiC的性能进行了测试。随着累积辐照剂量增加,4H-SiC探测器的正向电流增大,而反向电流恰好相反;根据4H-SiC探测器的正向I-V曲线可提取理想因子和肖特基势垒,理想因子从1.87增加到2.18,肖特基势垒从1.93V减小至1.69V;4H-SiC探测器对241 Am源产生的α粒子进行探测时,探测器的电荷收集率从95.65%退化到93.55%,测得能谱的能量分辨率由1.81%退化到2.32%。4H-SiC探测器在受到1MGy(Si)的γ辐照后,与未受到辐照时相比,在探测能量为5.486MeV的α粒子时能量分辨率和电荷收集率仅退化了28.18%和2.2%,仍具备优良的探测性能。

• 单位
  中国工程物理研究院核物理与化学研究所; 中国工程物理研究院