A位和B位掺杂PZT压电陶瓷的性能对比分析

作者：张元松^*; 钟敏; 张静; 燕周民

来源：中国陶瓷工业, 2020, 27(05): 12-15.

DOI：10.13958/j.cnki.ztcg.2020.05.003

• PZT压电陶瓷
• A位和B位掺杂
• 介电和压电性能
• 介电驰豫特性
• 热稳定性

采用固相烧结法制备了A位和B位掺杂的PZT压电陶瓷。通过XRD分析了两个体系的相结构,并研究了A位和B位掺杂量对体系介电、压电性能的影响。研究表明:体系组分的相结构均为单一的钙钛矿结构;A位掺杂组分的准同型相界向富锆区域移动,B位掺杂组分的准同型相界向富钛区域移动;A位和B位等量各掺杂到组分中,A位掺杂组分的介电和压电性能要比B位掺杂组分的性能要好。两种组分具有典型的介电驰豫特性,A位掺杂组分的居里温度要比B位掺杂的居里温度要高,且热稳定性要比B位掺杂组分好。

• 单位
  贵州振华红云电子有限公司