低结晶度NiMn2O4/还原氧化石墨烯复合材料的制备及其超级电容性能

作者：李明伟; 杨绍斌

来源：硅酸盐学报, 2021, 49(03): 503-510.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.20200480

• 锰酸钴
• 还原氧化石墨烯
• 超级电容器
• 复合材料

采用溶剂热法制备了NiMn2O4/还原氧化石墨烯(NiMn2O4/r GO)复合材料,并对表面形貌、微观结构和电化学性能进行了表征和测试。结果表明:低结晶度的NiMn2O4以丝绒状均匀地沉积在rGO纳米片上,几乎没有r GO裸露在外,NiMn2O4纳米颗粒间的聚集现象消失;同时NiMn2O4的覆盖也有效地阻止了石墨烯层之间的团聚。由于其独特的结构,NiMn2O4/r GO具有较大的比表面积和良好的导电性。在1 A·g–1时的比电容是1 675 F·g–1。在5 A·g–1时,经过2 000个充放电循环后,NiMn2O4/r GO的比电容保持率为91%。

• 单位
  辽宁工程技术大学