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摘要
本文研究了28 nm体硅CMOS工艺下8-Gbps通用结构高速并转串/串转并接口（Serializer/Deserializer,SerDes）的单粒子辐射特性，该SerDes由电压模发送器（Transmitter,TX）和相位插值（Phase Interpolation,PI）型接收器（Receiver,RX）组成，通过双指数电流源对整个SerDes的TX和RX进行了单粒子效应仿真，仿真结果表明该SerDes的TX和RX均会发生单粒子瞬态（Single-Event Transient,SET），且主要敏感节点包括：D触发器，采样器和时钟相位插值器.进一步采用脉冲激光对整个SerDes进行了扫描测试，测试结果验证了仿真结论.该研究为抗辐射SerDes的研制提供了重要的理论依据.
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