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摘要
制作了金二维孔阵列耦合量子级联探测器,利用探测器有源区上部的金二维孔阵列激发的表面等离子体,实现了量子级联探测器的垂直吸收。利用FDTD方法对器件在垂直入射光照射下内部电场分布进行了仿真计算,阐述了金二维孔阵列器件吸收垂直入射光的物理机制。在垂直入射光照射下,金二维孔阵列耦合器件在160K时具有最大的峰值响应率8.4mA/W,在室温下,峰值响应率1.02mA/W。与45°角边耦合器件相比,在绝大部
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制作了金二维孔阵列耦合量子级联探测器,利用探测器有源区上部的金二维孔阵列激发的表面等离子体,实现了量子级联探测器的垂直吸收。利用FDTD方法对器件在垂直入射光照射下内部电场分布进行了仿真计算,阐述了金二维孔阵列器件吸收垂直入射光的物理机制。在垂直入射光照射下,金二维孔阵列耦合器件在160K时具有最大的峰值响应率8.4mA/W,在室温下,峰值响应率1.02mA/W。与45°角边耦合器件相比,在绝大部
