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摘要
InGaN/GaN基阱垒结构LED当注入的电流密度较大时,LED的量子效率随注入电流密度增大而下降,即droop效应.本文在Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN基蓝光多量子阱结构的LED,通过将实验测量的光电性能曲线与利用ABC模型模拟的结果进行对比,探讨了droop效应的成因.结果显示:温度下降会阻碍电流扩展和降低空穴浓度,电子在阱中分布会越来越不平衡,阱中局部区域中因填充了势能越来越高的电子而溢出阱外,从而使droop效应随着温度的降低在更小的电流密度下出现且更为严重,不同温度下实验值与俄歇复合模型模拟的结果在高注入时趋势相反.这此结果表明,引起droop效应的主因不是俄歇非辐射复合而是电子溢出,电子溢出的本质原因是载流子在阱中分布不均衡.
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