电弧离子镀/磁控溅射复合真空退火制备Ti2AlC涂层

作者：胡小刚; 董闯^*; 杨红艳; 张瑞谦

来源：电镀与涂饰, 2019, 38(21): 1160-1165.

DOI：10.19289/j.1004-227x.2019.21.004

• 碳化铝钛
• 金属陶瓷
• 电弧离子镀
• 磁控溅射
• 真空退火
• 温度
• 微观结构

采用自主研发的大弧源技术,复合中频磁控溅射石墨靶,避免H元素的引入,在锆合金表面快速沉积了致密、超厚(约20μm)的Ti–Al–C涂层。经过不同温度(550、650、750和850°C)和时间(1、2和3 h)的真空退火后发现,至少在650°C才能获得Ti2AlC结构,更高的温度会加速Ti2AlC的生成。高温沉积对制备Ti2AlC相涂层而言是必备的。

• 单位
  大连理工大学; 中国核动力研究设计院