H2气氛对采用MOCVD法在Si衬底上外延生长AlN薄膜性能的影响

作者：杨美娟; 林云昊; 王文樑; 林志霆; 李国强

来源：材料研究与应用, 2016, 10(01): 10-15.

DOI：10.3969/j.issn.1673-9981.2016.01.003

• Si衬底
• AlN薄膜
• H2
• MOCVD

采用金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上外延生长AlN薄膜,用高分辨X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜对外延生长所得AlN薄膜的性能进行表征,并研究了适量H2的引入对AlN薄膜的晶体结构和表面形貌的影响.结果表明:在Si衬底上外延生长AlN薄膜过程中引入适量H2,有利于提高AlN岛间愈合程度,薄膜表面缺陷减少,表面粗糙度由4.0nm减少至2.1nm;适量H2的引入可使AlN薄膜的(0002)和(10-12)面的X射线摇摆曲线的半峰宽(FWHM)值从0.7"及1.1"分别减小到0.6"和0.9",即刃型穿透位错密度和螺型穿透位错密度减少.

• 单位
  华南理工大学