W波段硅基集成天线

作者：曹扬磊^*; 朱健; 侯芳; 沈国策; 焦宗磊

来源：固体电子学研究与进展, 2021, 41(02): 120-124.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2021.02.008

• W波段
• 硅基天线
• 多层堆叠
• 硅通孔技术

针对小型化和易集成的应用要求,基于硅基三维集成工艺设计了一款W波段硅基集成天线。天线为8×8阵列天线,采用硅基晶圆多层堆叠的方式,使馈电网络与辐射贴片单元分隔开,采用硅通孔技术进行层间互联,传递微波信号。天线在高阻硅基板上制造,中心频率为95.8 GHz,工作频段为90.3～98.6 GHz,峰值增益为10dBi左右。