3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造

作者：刘涛; 陈刚; 黄润华; 柏松; 陶永洪; 汪玲; 刘奥; 李赟; 赵志飞

来源：固体电子学研究与进展, 2016, 36(03): 187-190.

• 4H型SiC
• 垂直沟道结型场效应晶体管
• 沟槽刻蚀

介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工艺进行了器件工艺加工。通过测试,当栅极偏压VG=-6V时,研制的SiC JFET可以阻断3 000V电压;当栅极偏压VG=7V、漏极电压VD=3V时,正向漏极电流大于10A,对应的电流密度为100A/cm2。