基于边沿延时翻转的绑定前硅通孔测试方法

作者：倪天明; 常郝; 卞景昌; 易茂祥; 梁**; 黄正峰^*

来源：电子学报, 2019, 47(11): 2278-2283.

• 3D芯片
• 硅通孔测试
• 开路故障
• 短路故障

硅通孔(Through-Silicon Via,TSV)在制造过程中发生开路和短路等故障会严重影响3D芯片的可靠性和良率,因此对绑定前的TSV进行故障测试是十分必要的.现有的绑定前TSV测试方法仍存在故障覆盖不完全、面积开销大和测试时间大等问题.为解决这些问题,本文介绍一种基于边沿延时翻转的绑定前TSV测试技术.该方法主要测量物理缺陷导致硅通孔延时的变化量,并将上升沿和下降沿的延时分开测量以便消除二者的相互影响.首先,将上升沿延时变化量转化为对应宽度的脉冲信号;然后,通过脉宽缩减技术测量出该脉冲的宽度;最后,通过触发器的状态提取出测量结果并和无故障TSV参考值进行比较.实验结果表明,本文脉宽缩减测试方法在故障测量范围、面积开销等方面均有明显改善.

• 单位
  合肥工业大学; 安徽工程大学; 安徽财经大学