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摘要
尽管AlGaN/GaN HEMT器件在微波大功率特性方面取得很大的进步,因为缺少p型沟道的AlGaN/GaN HEMTs,类似CMOS的电路组成不能实现。通常AlGaN/GaNHEMTs的阈值电压依赖于外延层的结构设计,如Al组分大小,Si掺杂的浓度,AlGaN势垒层的厚度等。在器件制备过程中调制阈值电压的方法给增强型器件制备和电路应用带来极大的方便。因此本文提出以薄势垒结构的材料制备增强型器件,并结合F等离子体处理的方法,并取得了较为理想的结果。 首先对不同势垒厚度的器件结合材料特性进行对比分析。发现虽然薄势垒材料的2DEG的浓度较低,但具有较高的迁移率,因此薄势垒结构器件具有较好的...
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