摘要
低维金属卤化物由于其优异的光学性能吸引了广泛的关注,尤其是零维金属卤化物,由于其孤立八面体的结构特性能提高辐射复合概率.本文报道了一种零维金属卤化物Rb7Bi3Cl16,通过Sb3+掺杂后,在613 nm处出现宽带的橙黄色发射,当Sb3+掺杂浓度为30%时该最高光致发光量子效率可达30.7%.这种高效发光来源于电子与晶格的强相互作用产生的自陷激子,进一步通过光学性能表征研究自陷激子发光的具体物理机制和能量传递过程,单重态1P1上的电子态通过系间窜越过程弛豫到三重态3P1,强烈的橙黄色发射来自于三重态3P1→1S0辐射复合过程.此外, Sb3+掺杂Rb7Bi3Cl16具有良好的稳定性,采用Sb3+:Rb7Bi3Cl16为发光材料的发光二极管(LED)色坐标为(0.4886, 0.4534),色温为2641 K,在LED领域具有重要应用前景.
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