原位氧化工艺制备Ag-92SnO2In2O3电接触材料研究

作者：吴新合; 张玲洁^*; 杨辉; 樊先平; 祁更新; 陈晓; 张宇星

来源：稀有金属材料与工程, 2018, 47(S2): 31-34.

• 原位氧化工艺
• SnO2In2O3
• 银基电接触材料
• 电阻率
• 电寿命

以Ag-65SnIn-8熔炼雾化粉体为原料，采用原位氧化工艺制备了Ag-60SnO2In2O3中间体粉体，与雾化纯银粉配比成Ag-92SnO2In2O3材料，通过混粉-等静压-烧结-热压-挤压技术制备Ag-92SnO2In2O3带材，再通过固相复合工艺制备所需要的Ag-92SnO2In2O3/Cu/Fe电接点材料。相对常规氧化工艺制备的Ag-60SnO2In2O3中间体粉体制备的Ag-92SnO2In2O3/Cu/Fe电接点材料，原位氧化工艺制备的Ag-92SnO2In2O3/Cu/Fe电接点材料电阻率明显降低，为1.992.05μΩ·cm，硬度HV可达711945 MPa；产品应用于380 V,65 A，功率因数0.7的电动机负载电路的热保护器中，电器寿命满足5000次分断要求，替代AgCdO/Cu/Fe电接点材料，实现环保，无镉化切换。

• 单位
  浙江大学; 温州宏丰电工合金股份有限公司