绝缘衬底上的硅技术SOI发展与应用分析

作者：宁开明

来源：集成电路应用, 2019, 36(06): 17-21.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2019.06.006

• 智能剥离
• 射频SOI
• FD SOI
• 功率SOI

SOI技术作为一种全介质隔离技术,有着许多体硅器件不可比拟的优势,如低功耗(泄漏电流小)、速度快(寄生电容小)、抗干扰强、集成密度高(隔离面积小)等特点。经过几十年的发展,SOI材料的制备技术,直接键合和智能剥离技术成为现阶段的主流技术。SOI元器件的特征尺寸,由1μm跨越到12 nm,得到广泛应用,涵盖射频、汽车电子、电源管理等领域。虽然由于历史原因以及SOI技术本身的一些限制,导致SOI技术没有完全超越传统体硅技术。分析SOI技术的发展历史、材料制备、技术应用、面临的挑战及未来趋势。